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配備 GEMINI II 鏡筒的 MERLIN 可以借助先進(jìn)的探測(cè)模式和‘future assured’技術(shù)在單一系統(tǒng)平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)超快速分析與高分辨成像。
經(jīng)過(guò)預(yù)校準(zhǔn)的 GEMINI II 光學(xué)成像設(shè)置,如電壓或探針電流,能夠根據(jù)您的需求進(jìn)行調(diào)整以滿足應(yīng)用和樣品要求,且無(wú)需再重新校準(zhǔn)。即便無(wú)經(jīng)驗(yàn)的用戶也能獲得最佳成像結(jié)果。經(jīng)系統(tǒng)優(yōu)化后的高束流密度、300 nA 探針電流及高束流下的超高分辨率,確保了在納米級(jí)分析應(yīng)用中的快速成像。
利用 正光軸 in-lens 二次電子(SE)探測(cè)與能量選擇背散射(EsB)探測(cè)獲取最豐富的樣品信息,用以檢測(cè)材料組份中最細(xì)微的差異。
Merlin具有全方位的靈活性,滿足您的各種應(yīng)用需求,Merlin借助模塊化的樣品室設(shè)計(jì)、可變壓力選件,15個(gè)端口及一系列特定應(yīng)用模塊,如原子力顯微鏡(AFM)、原位超薄切片機(jī)、大面積成像以及能夠輕松應(yīng)對(duì)非導(dǎo)電樣品的局部電荷中和模塊,它能夠升級(jí)成為一個(gè)綜合的納米分析平臺(tái)。
參數(shù) |
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分辨率 |
高達(dá) 0.6nm(STEM 模式) |
探針電流 |
高達(dá) 300nA |
加速電壓 |
20V 至 30 kV |
探測(cè)模式(可選) |
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In-lens(SE) |
正光軸 in-lens 二次電子探測(cè) |
In-lens(EsB) |
用于材料襯度成像的正光軸in-lens 能量選擇背散射探測(cè);in-lens SE 和 EsB 并行成像 |
角度選擇背散射探測(cè)器(AsB) |
用于晶體表面的結(jié)構(gòu)分析。 |
3DSM | 用于實(shí)時(shí)三維表面形貌成像。 |
STEM |
低電壓優(yōu)化明場(chǎng)、4 象限暗場(chǎng)和大角度暗場(chǎng)透射成像。 |
選件(可選) | |
ATLAS 大面積成像 | 用于大尺寸樣品區(qū)域拼接。 |
原子力顯微鏡(AFM)技術(shù) |
擴(kuò)展掃描電鏡性能,使其具有解析單原子層和檢測(cè)表面磁性或局部導(dǎo)電率的能力。 |
局部電荷中和 |
可以實(shí)現(xiàn)非導(dǎo)電樣品成像。 |
3View | 原位超薄切片機(jī)可實(shí)現(xiàn)大體積軟組織三維重構(gòu)。 |
只需使用一系列特定應(yīng)用選件,便能獲取納米材料、半導(dǎo)體樣品、礦物、鋼鐵或合金的更豐富信息:
新型材料、納米復(fù)合材料、聚合物、高強(qiáng)度鋼和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能關(guān)鍵取決于最小的組份結(jié)構(gòu)。配置有正光軸能量選擇背散射電子(EsB)探測(cè)功能的 MERLIN 全套探測(cè)系統(tǒng)是探究這些組份結(jié)構(gòu)的最佳儀器。低能損背散射電子的能量過(guò)濾變化對(duì)材料組份、衍生物和相非常敏感,因此能夠被區(qū)分開(kāi)。獨(dú)一無(wú)二的對(duì)稱式正光軸設(shè)計(jì)可確保拍攝參數(shù)改變時(shí)無(wú)需重新校準(zhǔn)。
此外,Merlin還配置有能夠探測(cè)其他綜合樣品信息的信號(hào),如 in-lens 二次電子探測(cè)器。
只需簡(jiǎn)單更換載物臺(tái),便能在一個(gè)簡(jiǎn)單的工作流程中分別體驗(yàn)兩者的優(yōu)勢(shì):
MERLIN 系統(tǒng)可升級(jí)具備三維成像能力:3DSM 解決方案可以像傳統(tǒng)二維成像一樣輕松完成樣品表面的實(shí)時(shí)三維成像。獲取的三維圖像可以通過(guò)諸如立體視圖、網(wǎng)絡(luò)視圖、紋理視圖或輪廓重疊的方式顯示。該模塊還能夠獲得定量三維模型,用以測(cè)量表面粗糙度及表面形貌。
集成的計(jì)量 軟件可以進(jìn)行三維表面可視化及生成完整的計(jì)量報(bào)告。